类型：肖特基势垒二极管（SiC）
　　配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：650 V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：16 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：75 A
　　最大正向电压（VF）：1.7 V（@ IF = 16 A, Tj = 25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：10 μA（@ VR = 650 V, Tj = 25°C）
　　反向恢复时间（trr）：≤ 15 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　极性：共阴极

MA16DP11C6采用碳化硅（SiC）半导体材料制造，这使其在性能上远超传统的硅基肖特基二极管或快恢复二极管。碳化硅材料具有宽禁带特性，能够承受更高的电场强度，从而实现更高的击穿电压和更低的导通电阻。这一特性使得MA16DP11C6能够在650V的高反向电压下稳定工作，同时保持较低的正向压降（典型值1.7V @ 16A），显著减少了导通损耗，提升了电源系统的整体能效。
　　该器件的反向恢复时间极短（trr ≤ 15ns），几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关应用中不会产生明显的开关尖峰和电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路设计并提高系统稳定性。这对于工作频率在数十kHz至数百kHz的DC-DC变换器和PFC电路尤为重要，能够有效减少功率器件的应力，延长使用寿命。
　　MA16DP11C6的双共阴极结构允许两个独立的肖特基二极管共享一个阴极连接，非常适合用于全桥或半桥整流拓扑中的同步续流路径，或者作为双路输出整流元件。这种集成结构不仅节省了PCB空间，还提高了功率密度，特别适合紧凑型电源模块的设计。
　　器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，表现出卓越的热稳定性。即使在高温环境下，其反向漏电流仍保持在较低水平（典型值10μA @ 650V），避免了热失控风险。结合TO-252（DPAK）封装良好的热传导性能，该器件可通过PCB铜箔或外接散热器高效散热，满足工业级和汽车级应用的严苛环境要求。
　　此外，MA16DP11C6符合国际环保标准，采用无铅（Pb-free）封装工艺，支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装技术，适用于大规模自动化生产。其高可靠性和一致性使其成为高端电源、可再生能源逆变器、电动汽车充电系统以及工业电机驱动等领域的理想选择。

MA16DP11C6主要应用于需要高效率、高频率和高可靠性的电力电子系统中。典型应用场景包括：交流-直流（AC-DC）开关电源中的输出整流与续流环节，尤其是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中；在功率因数校正（PFC）升压电路中作为升压二极管使用，因其低导通损耗和快速恢复特性，可显著提升PFC级的转换效率；在直流-直流（DC-DC）转换器中用于同步整流的续流路径，减少能量损耗并提高功率密度；在太阳能逆变器和储能系统中用于直流母线的防反接与能量回馈控制；在电动汽车车载充电机（OBC）和充电桩电源模块中提供高效整流功能；此外，还可用于不间断电源（UPS）、焊接设备、电机驱动器和高频感应加热装置等工业电源系统。其高温耐受能力和高可靠性也使其适用于恶劣环境下的户外设备和轨道交通系统。

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　　 "SCH650H160AF",
　　 "MSC016S65A",
　　 "C4D16120D"
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