时间：2025/6/30 12:27:39
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MA0402YV223M250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率转换芯片，主要用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高性能功率管理的应用场景。该芯片采用了先进的封装技术，具备高集成度和低导通电阻的特点，能够显著提升系统效率并减少热量损耗。
该芯片内置驱动电路和保护功能，简化了设计流程，同时提高了系统的可靠性和稳定性。
型号：MA0402YV223M250
类型：GaN 功率晶体管
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：12A
导通电阻：22mΩ
栅极电荷：75nC
开关频率：高达 5MHz
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
MA0402YV223M250 具备以下关键特性：
1. 高效的 GaN 材料：相比传统硅基 MOSFET，MA0402YV223M250 在高频操作下表现出更低的开关损耗和导通损耗。
2. 内置驱动保护：芯片内部集成了高效的驱动电路和多重保护机制（如过流保护、短路保护等），增强了整体系统的安全性。
3. 小型化封装：采用 TO-252 封装，节省 PCB 空间的同时保证良好的散热性能。
4. 宽输入电压范围：支持从低压到高压的各种应用场景，具有较强的通用性。
5. 快速开关速度：由于其低栅极电荷和快速开关能力，适合高频 DC-DC 和 AC-DC 转换器应用。
MA0402YV223M250 广泛应用于以下领域：
1. 高频开关电源适配器
2. 电动汽车充电设备
3. 数据中心服务器电源
4. 工业级 DC-DC 转换模块
5. LED 驱动电源
6. 无线充电设备
7. 消费类电子快充解决方案
MP4587, GAN043-650WSA
