时间：2025/7/12 17:12:14
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MA0402XR751K500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，适用于高频和高效率的电源转换场景。该器件采用先进的 GaN 技术，具备低导通电阻、快速开关速度和高耐压性能等优势，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、充电器以及工业电源等领域。
该型号中的具体数字含义如下：MA 表示产品系列，0402 表示封装类型或尺寸信息，XR751 表示内部设计代号，定电压或电流等级。
额定电压：650V
额定电流：30A
导通电阻：40mΩ
最大工作结温：175°C
栅极电荷：8nC
反向恢复时间：无（由于是 GaN 器件，没有反向恢复问题）
封装形式：TO-247-4L
MA0402XR751K500 的主要特性包括：
1. 高开关频率支持，能够显著减少磁性元件的体积和重量，从而提高整体功率密度。
2. 极低的导通电阻，有效降低传导损耗，提升系统效率。
3. 无反向恢复电荷，进一步减少了开关损耗，提升了高频应用下的性能。
4. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合全球范围内的应用需求。
6. 耐高温性能优异，能够在极端条件下稳定运行。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，尤其是需要高效率和高功率密度的应用。
2. 工业用 DC-DC 转换器，例如电信设备和服务器电源。
3. 快速充电器市场，如 USB-PD 充电器。
4. 新能源汽车中的车载充电器（OBC）和 DC-DC 转换模块。
5. 太阳能微型逆变器以及其他高频电力电子设备。
MA0402XR751K400, MA0402XR751K600
