MA0402XR682M160 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,主要用于开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率特性,适合在汽车电子、工业控制及消费类电子产品中使用。
其封装形式为 LFPAK8 封装,具有出色的散热性能和紧凑的设计,便于在高密度电路板上布局。此外,该器件支持高频开关操作,并且具备优异的耐用性和可靠性。
型号:MA0402XR682M160
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):160A
导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ
栅极电荷(Qg):57nC
工作温度范围(Ta):-55℃ 至 +175℃
封装形式:LFPAK8
MA0402XR682M160 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流条件下减少功耗并提升效率。
2. 高额定电流能力 (160A),适合大功率应用场景。
3. 支持高频开关操作,适用于 DC-DC 转换器、逆变器及其他高频应用。
4. 紧凑型 LFPAK8 封装设计,简化 PCB 布局同时提供良好的散热性能。
5. 广泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),适应各种恶劣环境下的应用需求。
6. 具备抗雪崩能力和 ESD 保护功能,提高系统的可靠性和耐用性。
该 MOSFET 主要应用于以下领域:
1. 汽车电子系统中的负载切换和电机驱动。
2. 工业设备中的 DC-DC 转换器和逆变器。
3. 高效电源管理模块,如笔记本电脑适配器和服务器电源。
4. 太阳能微逆变器和其他可再生能源转换系统。
5. 各种需要高电流和低损耗的功率开关应用。
MA0402XR682M150, IRF3205, FDP17N60