时间：2025/7/4 23:32:06
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MA0402XR681K100 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率控制的应用场景。该芯片采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著降低功耗并提高系统效率。
该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高频开关应用，并且内置了多种保护功能以提升可靠性。
型号：MA0402XR681K100
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：650 V
最大栅极源极电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：10 A
导通电阻（RDS(on)）：0.12 Ω（在 VGS = 10 V 时）
总功耗（PD）：150 W
工作温度范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
MA0402XR681K100 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，最大漏源电压高达 650 V，适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 (RDS(on))，可有效降低导通损耗，提高整体效率。
3. 快速开关性能，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 内置多重保护机制，如过流保护和短路保护，增强了器件的可靠性和安全性。
5. 广泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适应各种极端环境条件。
6. 高电流承载能力，连续漏极电流可达 10 A，满足大功率需求。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
MA0402XR681K100 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），提供高效的功率转换。
2. DC-DC 转换器，用于电压调节和稳定输出。
3. 电机驱动电路，控制直流或步进电机的运行。
4. 太阳能逆变器，实现太阳能发电系统的电力转换。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 不间断电源（UPS）系统，确保稳定可靠的备用电源供应。
7. 各种需要高电压、大电流处理能力的电子设备。
MA0402XR681K50, MA0402XR681K200
