时间：2025/7/10 1:28:17
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MA0402XR563K100 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，主要用于高效率电源转换和高频应用。该器件采用先进的封装技术，能够提供卓越的开关性能和低导通电阻，从而降低系统功耗并提高整体效率。
这款 GaN 功率晶体管适合应用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及无线充电设备等场景。其设计融合了高频率工作能力和耐高压特性，为现代电力电子设备提供了理想的解决方案。
型号：MA0402XR563K100
类型：GaN 功率晶体管
漏源电压 (Vds)：650V
连续漏极电流 (Id)：12A
导通电阻 (Rds(on))：40mΩ
栅极电荷 (Qg)：75nC
反向恢复时间 (trr)：<40ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
MA0402XR563K100 具备以下显著特性：
1. 高电压能力：支持高达 650V 的漏源电压，确保在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：仅 40mΩ 的 Rds(on)，大幅减少导通损耗。
3. 快速开关速度：极低的栅极电荷和反向恢复时间 (<40ns)，适合高频应用。
4. 高效节能：结合低导通电阻和快速开关性能，有效提升系统效率。
5. 紧凑型封装：优化的封装设计使其易于集成到各种电力电子模块中。
6. 宽工作温度范围：能够在极端温度条件下可靠工作，适用于工业及汽车领域。
MA0402XR563K100 广泛应用于以下领域：
1. 高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器
2. 功率因数校正 (PFC) 电路
3. 无线充电系统
4. 电动车辆充电装置
5. 工业电机驱动
6. 太阳能逆变器
7. LED 照明驱动器
8. 不间断电源 (UPS) 设备
MGH0402XR563K100
MPX0402XR563K100
