MA0402XR561J250 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用而设计。该芯片采用先进的制造工艺,在保证高效率的同时,还具备出色的热性能和可靠性。其主要应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及各类工业控制设备中。
该器件具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。
型号:MA0402XR561J250
类型:N沟道增强型MOSFET
工作电压:55V
导通电阻:25mΩ(典型值,@Vgs=10V)
连续漏极电流:80A(最大值,@Tc=25℃)
栅极电荷:30nC(典型值)
开关速度:快速
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55℃至+175℃
MA0402XR561J250 具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),确保在大电流应用中减少能量损耗。
2. 快速的开关速度,适合高频电路设计,同时能有效降低开关损耗。
3. 出色的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持稳定运行。
4. 高耐压能力,能够承受高达55V的工作电压,提高了系统的可靠性和安全性。
5. 封装坚固耐用,便于散热管理,并适用于表面贴装或插件安装方式。
6. 符合RoHS标准,绿色环保无铅设计。
这款芯片广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率级组件。
3. 电机驱动电路中的高效功率输出级。
4. 工业自动化控制系统中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理模块。
6. 各类便携式设备充电解决方案中的功率路径管理。
IRFZ44N
STP80NF55
FDP170N55