MA0402XR273J250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管,专为高效率和高频应用而设计。该器件采用增强型场效应晶体管 (eGaN FET) 架构,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和无线充电等场景。
这款芯片的封装形式为行业标准的表面贴装类型,能够有效提升散热性能并简化电路板布局设计。
型号:MA0402XR273J250
工作电压:100V
连续漏极电流:25A
导通电阻:2.7mΩ
栅极电荷:12nC
反向恢复时间:15ns
封装形式:PQFN 8x8mm
工作温度范围:-55℃至+175℃
MA0402XR273J273J250 的主要特性包括:
1. 超低导通电阻(2.7mΩ),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力,其反向恢复时间为15ns,非常适合高频操作环境。
3. 氮化镓技术提供更小的芯片尺寸,同时保持卓越的热性能。
4. 内置ESD保护功能以增强可靠性。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 支持大电流(25A)输出,适应多种高功率应用场景。
该芯片适用于以下领域:
1. 高效DC-DC转换器设计,特别是在服务器电源和通信设备中。
2. 快速充电适配器和无线充电器中的功率级开关元件。
3. 工业自动化中的伺服驱动和逆变器控制。
4. LED照明驱动电路,实现更高效率和更少热量产生。
5. 电动汽车车载充电器及辅助电源模块。
6. 其他需要高频率和低损耗工作的电子设备。
MA0402XR273K250
MA0402XR273L250
GA100R027T250