时间：2025/7/1 1:00:14
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MA0402XR273J250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，专为高效率和高频应用而设计。该器件采用增强型场效应晶体管 (eGaN FET) 架构，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和无线充电等场景。
这款芯片的封装形式为行业标准的表面贴装类型，能够有效提升散热性能并简化电路板布局设计。
型号：MA0402XR273J250
工作电压：100V
连续漏极电流：25A
导通电阻：2.7mΩ
栅极电荷：12nC
反向恢复时间：15ns
封装形式：PQFN 8x8mm
工作温度范围：-55℃至+175℃
MA0402XR273J273J250 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻（2.7mΩ），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，其反向恢复时间为15ns，非常适合高频操作环境。
3. 氮化镓技术提供更小的芯片尺寸，同时保持卓越的热性能。
4. 内置ESD保护功能以增强可靠性。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 支持大电流（25A）输出，适应多种高功率应用场景。
该芯片适用于以下领域：
1. 高效DC-DC转换器设计，特别是在服务器电源和通信设备中。
2. 快速充电适配器和无线充电器中的功率级开关元件。
3. 工业自动化中的伺服驱动和逆变器控制。
4. LED照明驱动电路，实现更高效率和更少热量产生。
5. 电动汽车车载充电器及辅助电源模块。
6. 其他需要高频率和低损耗工作的电子设备。
MA0402XR273K250
MA0402XR273L250
GA100R027T250
