MA0402XR153K100 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率晶体管,专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用了先进的横向场效应晶体管(HFET)结构,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种电源转换系统、射频放大器以及电机驱动等领域。其封装形式紧凑,适合高密度集成应用。
型号:MA0402XR153K100
类型:GaN 功率晶体管
工作电压:150V
最大漏极电流:2A
导通电阻:10mΩ(典型值)
栅极电荷:10nC(最大值)
开关频率:支持高达 10MHz
热阻:25°C/W
封装形式:TO-252
MA0402XR153K100 拥有卓越的电气性能和可靠性。
1. 高效开关性能:得益于 GaN 技术的低寄生电感和电容,能够显著降低开关损耗。
2. 小型化设计:采用紧凑型封装,节省 PCB 空间,满足现代电子设备对小型化的需求。
3. 高温稳定性:能够在高温环境下保持稳定的性能输出。
4. 快速动态响应:适合需要高频操作的应用场景,例如 D类音频放大器和无线充电器。
5. 安全性增强:内置过流保护和短路保护机制,提高系统可靠性。
该芯片广泛应用于多个领域:
1. 开关电源(SMPS):如 AC/DC 转换器、适配器等。
2. 射频功率放大器:用于通信基站、卫星通信等领域。
3. 电机驱动器:提供高效控制能力,优化能耗。
4. 无线充电设备:实现高效的能量传输。
5. 数据中心电源模块:提升能源利用效率,减少散热需求。
MGD0402X150K100
GA150R02ED
NPT1502G02