时间：2025/7/9 18:33:22
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MA0402XR151K250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的封装技术，能够提供卓越的电气性能和散热能力。
这款 GaN 晶体管具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于 DC-DC 转换器、无线充电模块、激光雷达系统以及其他需要高效率和高频率操作的应用场景。
型号：MA0402XR151K250
类型：增强型场效应晶体管 (eGaN)
材料：氮化镓 (GaN)
工作电压：600 V
连续漏极电流：30 A
导通电阻：15 mΩ
栅极电荷：7 nC
开关频率：最高 10 MHz
封装形式：PDFN8
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
MA0402XR151K250 的主要特性包括：
1. 高效的开关性能，支持高达 10 MHz 的工作频率。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 15 mΩ，显著降低传导损耗。
3. 快速开关特性，减少了开关损耗并提高了整体效率。
4. 紧凑的 PDFN8 封装，有助于优化 PCB 布局并减少寄生电感。
5. 支持高温操作，可在高达 +175℃ 的环境下稳定运行。
6. 内置保护功能，如过流保护和热关断功能，增强了可靠性。
MA0402XR151K250 广泛应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器，用于服务器电源和通信设备。
2. 无线充电系统，特别是大功率无线充电器。
3. 激光雷达 (LiDAR) 驱动电路，满足自动驾驶和工业传感的需求。
4. LED 驱动器和高效电机驱动控制器。
5. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 快速充电适配器，实现更高的充电效率和更小的体积。
MA0402XR120K250
MA0402XR180K250
GAN041-650WSA
