MA0402XR101 MOSFET 场效应晶体管,主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺,在保证低导通电阻的同时,具有出色的开关性能和热稳定性。其封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装,适用于空间受限的设计场景。
该器件广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域,能够有效提升电路效率并降低功耗。
型号:MA0402XR101J250
类型:N-Channel MOSFET
封装:SOT-23
最大漏源电压(Vdss):40V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):2.1A
导通电阻(Rds(on)):101mΩ
总栅极电荷(Qg):8nC
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
MA0402XR101J250 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力,得益于较低的栅极电荷 Qg,适合高频应用。
3. 高击穿电压(40V),确保在各种负载条件下稳定运行。
4. 紧凑的 SOT-23 封装设计,节省 PCB 空间。
5. 支持宽广的工作温度范围,适应恶劣环境下的使用需求。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
这些特性使 MA0402XR101J250 成为高效 DC-DC 转换器、负载开关以及其他功率管理电路的理想选择。
MA0402XR101J250 广泛用于以下领域:
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的电源管理。
2. 各类 DC-DC 转换器和同步整流电路。
3. 开关模式电源 (SMPS) 和电池充电器。
4. 工业自动化控制中的负载切换。
5. 通信设备中的信号调节和保护。
6. 汽车电子系统的功率分配。
其高性能和小尺寸特点使其特别适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。
MA0402XR121J250, MA0402XR151J250