时间：2025/6/28 23:53:44
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MA0402CG8R2B250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用先进的 GaN-on-Si 工艺制造，具有低导通电阻和快速开关性能的特点，广泛应用于电源转换、无线充电、激光驱动和其他需要高性能功率管理的领域。
该型号中的关键参数定义了其工作范围与适用场景，例如 RDS(on) 和最大漏源电压等，这些特性使其成为许多传统硅基 MOSFET 的理想替代品。
型号：MA0402CG8R2B250
类型：增强型功率晶体管
工艺技术：GaN-on-Si
封装形式：DFN5x6-8L
最大漏源电压(Vds)：200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：25mΩ
总栅极电荷(Qg)：35nC
反向恢复电荷(Qrr)：<10nC
工作温度范围(Tj)：-40℃至+150℃
MA0402CG8R2B250 拥有卓越的电气性能，包括超低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关能力，使其在高频应用中表现出色。此外，由于采用了氮化镓材料，该器件能够在更高的开关频率下运行，同时保持高效率和良好的热稳定性。
主要特性包括：
- 高效功率转换：得益于低导通电阻和低栅极电荷，可显著降低传导损耗和开关损耗。
- 快速开关能力：支持高达几兆赫兹的工作频率，适用于高频 DC-DC 转换器和 LLC 谐振电路。
- 小尺寸封装：DFN5x6-8L 封装使得该器件适合紧凑型设计。
- 高可靠性：通过严格的测试验证，确保在极端条件下的稳定性和耐用性。
- 热性能优异：能够承受较高结温，适用于高温环境下的应用。
MA0402CG8R2B250 主要用于以下领域：
- 高频 DC-DC 转换器：在服务器电源、通信设备和工业电源系统中实现高效的电压转换。
- 充电器和适配器：适用于快充方案，提升充电效率并减小体积。
- 无线充电发射端：提供高效的能量传输，满足 Qi 标准的要求。
- 激光驱动器：为脉冲激光应用提供精确的电流控制。
- 电机驱动：在小型电机控制系统中实现快速动态响应。
- 开关电源(SMPS)：在 AC-DC 和 DC-DC 转换中发挥核心作用，提高整体能效。
MA0402CG8R2B150
MA0402CG8R2B300
