时间：2025/7/14 17:47:56
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MA0402CG820G250 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，专为高频开关应用设计。它采用了先进的制造工艺，在提供低导通电阻的同时，确保了较低的开关损耗和更高的效率。该型号主要应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等场景。
这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，其封装形式为行业标准的 TO-252 (DPAK) 封装，具有良好的散热性能和电气特性。由于其出色的性能参数，MA0402CG820G250 广泛用于需要高效率和可靠性的工业及消费类电子设备中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：13A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：25nC
开关速度：典型值 20ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
MA0402CG820G250 的关键特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频电路应用。
3. 较低的栅极电荷 (Qg)，有助于减少驱动功耗。
4. 采用 TO-252 封装，具备优秀的散热性能和机械稳定性。
5. 工作温度范围宽广，适用于恶劣环境下的工业应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这些特性使得 MA0402CG820G250 在各种高功率密度和高效率需求的应用中表现出色。
MA0402CG820G250 芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级控制。
2. 电机驱动和逆变器模块中的功率开关元件。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 汽车电子系统中的电池管理和负载保护。
5. 家用电器和消费电子产品中的高效功率转换。
由于其低导通电阻和高速开关特性，这款芯片在各类高效率、紧凑型设计中表现优异。
MA0402CG820G100, IRFZ44N, FDP55N06L
