时间：2025/7/8 16:17:16
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MA0402CG7R0D160 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关芯片，适用于高频和高功率密度的应用场景。该器件采用了先进的 GaN HEMT 结构设计，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，能够显著提升系统能效并减少热量产生。此型号特别适合用于服务器电源、通信设备、电动汽车充电桩以及太阳能逆变器等高性能电源转换系统。
额定电压：650V
导通电阻：70mΩ
最大电流：16A
栅极电荷：35nC
开关频率：高达 5MHz
封装形式：DFN8 封装
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
MA0402CG7R0D160 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（70mΩ），可有效降低传导损耗。
2. 快速的开关速度，支持高达 5MHz 的工作频率，有助于缩小无源元件尺寸。
3. 内置 ESD 保护功能，增强可靠性。
4. 高击穿电压（650V），确保在高压环境下稳定运行。
5. 采用 DFN8 封装，具备出色的散热性能和小型化优势。
6. 支持零电压开关（ZVS）拓扑结构，进一步优化效率。
7. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
这款 GaN 功率开关芯片广泛应用于以下领域：
1. 服务器和通信设备中的高效 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 新能源汽车充电桩的核心功率模块。
3. 太阳能光伏逆变器中的高频逆变电路。
4. USB PD 充电器及其他便携式电子产品的快充解决方案。
5. 工业自动化设备中的高频开关电源系统。
MA0402CG7R0D120, MA0402CG7R0D180
