MA0402CG750J500 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该芯片广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等电力电子领域。其设计旨在提供高效率和低导通电阻特性,同时具备出色的开关性能。MA0402CG750J500 具有耐高压、低功耗以及高可靠性的特点,适用于多种工业及消费类电子产品中的功率转换场景。
最大漏源电压:750V
连续漏极电流:4.3A
导通电阻:1.4Ω
栅极阈值电压:3V 至 6V
总功耗:29W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220
1. 高击穿电压:能够承受高达 750V 的漏源电压,适合高压应用场景。
2. 极低导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为 1.4Ω,有效降低功率损耗。
3. 快速开关速度:具有短的开启和关断延迟时间,从而提高整体系统效率。
4. 热稳定性强:支持宽广的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),适应各种环境条件。
5. 可靠性高:经过严格的质量控制流程,确保产品长期稳定运行。
6. 小型化设计:采用 TO-220 封装形式,便于安装并节省空间。
1. 开关电源:用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电机驱动:适用于各类直流无刷电机、步进电机和其他电机控制器。
3. 工业自动化:用作变频器、逆变器以及 UPS 系统的关键组件。
4. 消费类电子产品:如笔记本适配器、充电器等对效率要求较高的设备。
5. 照明系统:LED 驱动电路中实现高效能量转换。
MA0402CG750J330, IRF840, STP75NF06