时间：2025/7/9 23:57:35
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MA0402CG750J250 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
它属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于中高电压应用场合。通过优化设计，MA0402CG750J250 在功耗和效率方面表现优异，能够满足多种工业和消费电子设备的需求。
型号：MA0402CG750J250
类型：N 沟道 MOSFET
漏源极电压(Vdss)：750V
连续漏极电流(Id)：25A
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.1V 至 4V
导通电阻(Rds(on))：0.06Ω（最大值，在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：250W
封装形式：TO-247
MA0402CG750J250 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力：其漏源极电压高达 750V，非常适合高压应用场景。
2. 低导通电阻：Rds(on) 仅为 0.06Ω，大幅降低了传导损耗，提高了系统效率。
3. 快速开关性能：得益于较低的输入电容和输出电荷，此器件拥有更快的开关速度。
4. 热稳定性强：通过优化的封装设计和内部结构，芯片具备良好的散热性能。
5. 可靠性高：经过严格的质量测试，确保在恶劣环境下也能稳定工作。
MA0402CG750J250 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)：用于提高效率并减少能量损失。
2. DC-DC 转换器：作为主开关管，提供高效稳定的电压转换。
3. 电机驱动：控制直流无刷电机或步进电机的运行状态。
4. 工业设备：如焊接机、逆变器等需要高压大电流处理的场合。
5. 汽车电子：支持车载充电器和其他相关应用中的高压操作。
MA0402CG750J200, IRFP460, FDP8870
