时间：2025/7/14 17:46:57
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MA0402CG6R8C100 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，主要用于高频和高效率电源转换应用。该器件采用增强型场效应晶体管 (e-mode FET) 结构设计，具有低导通电阻、高开关速度和卓越的热性能。其封装形式为芯片级封装 (CSP)，能够有效减少寄生电感并提升整体系统性能。
这款 GaN 晶体管适合用于 DC-DC 转换器、LLC 谐振变换器、图腾柱 PFC 等高效能电力电子应用场景。同时，它也广泛应用于服务器电源、通信设备电源以及电动汽车车载充电器等对效率和体积要求较高的场合。
最大漏源电压：650V
导通电阻：45mΩ
栅极阈值电压：1.6V~3.0V
连续漏极电流：12A
开关频率：高达5MHz
工作温度范围：-55℃~+150℃
MA0402CG6R8C100 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（650V），确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻（45mΩ），从而显著降低传导损耗。
3. 快速开关能力（支持高达5MHz的开关频率），使得设计更小型化的滤波器成为可能。
4. 增强模式操作，简化了驱动电路设计，无需负电压驱动。
5. 高效的热管理能力，通过优化的封装结构提高散热性能。
6. CSP 封装设计，减少了寄生参数影响，进一步提升了高频表现。
该器件适用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 电路。
3. LLC 谐振变换器。
4. 新能源汽车中的车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换模块。
5. 数据中心和通信基站的高效电源解决方案。
6. 工业电机驱动和其他需要高性能功率转换的应用场景。
MA0402CG6R8C120, MA0402CG6R8C150
