时间：2025/7/1 0:57:39
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MA0402CG6R0C160 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的封装工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于电源管理、DC-DC转换器以及通信设备中的射频放大器等场景。
该型号属于东芝（Toshiba）推出的 GaN 晶体管系列，旨在提供更高效的能源转换解决方案，同时减少系统体积和重量。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：16A
导通电阻：6mΩ
栅极电荷：75nC
反向传输电容：380pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
MA0402CG6R0C160 具备以下显著特性：
1. 高效能量转换：得益于其低导通电阻（仅 6mΩ），在高频开关条件下能大幅降低传导损耗。
2. 快速开关性能：该器件支持高达 2MHz 的开关频率，远超传统硅基 MOSFET 的能力。
3. 热稳定性强：能够承受极端温度环境，适合工业和汽车应用。
4. 小型化设计：采用紧凑的 TO-247 封装形式，便于集成到复杂电路中。
5. 可靠性高：通过严格的测试验证，确保长期运行的稳定性和可靠性。
6. 内置 ESD 保护功能，增强抗静电能力，减少损坏风险。
这款 GaN 功率晶体管适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电信基础设施中的高效 DC-DC 转换器
3. 工业电机驱动
4. 新能源电动汽车（EV）充电系统
5. 太阳能逆变器
6. 射频功率放大器
7. 数据中心供电模块
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