MA0402CG6R0C160 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的封装工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于电源管理、DC-DC转换器以及通信设备中的射频放大器等场景。
该型号属于东芝(Toshiba)推出的 GaN 晶体管系列,旨在提供更高效的能源转换解决方案,同时减少系统体积和重量。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:16A
导通电阻:6mΩ
栅极电荷:75nC
反向传输电容:380pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
MA0402CG6R0C160 具备以下显著特性:
1. 高效能量转换:得益于其低导通电阻(仅 6mΩ),在高频开关条件下能大幅降低传导损耗。
2. 快速开关性能:该器件支持高达 2MHz 的开关频率,远超传统硅基 MOSFET 的能力。
3. 热稳定性强:能够承受极端温度环境,适合工业和汽车应用。
4. 小型化设计:采用紧凑的 TO-247 封装形式,便于集成到复杂电路中。
5. 可靠性高:通过严格的测试验证,确保长期运行的稳定性和可靠性。
6. 内置 ESD 保护功能,增强抗静电能力,减少损坏风险。
这款 GaN 功率晶体管适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 电信基础设施中的高效 DC-DC 转换器
3. 工业电机驱动
4. 新能源电动汽车(EV)充电系统
5. 太阳能逆变器
6. 射频功率放大器
7. 数据中心供电模块
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