MA0402CG5R0D500 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率电子器件,具体属于增强型 GaN 场效应晶体管(eGaN FET)。该型号由知名半导体厂商设计生产,广泛应用于高效率、高频开关场景。相比传统硅基 MOSFET,该 GaN 器件具有更低的导通电阻、更高的开关速度和更小的寄生电容,适用于电源管理、工业驱动、通信设备等领域。
其封装形式为行业标准的 DFN 封装,便于表面贴装工艺。该器件支持高达 600V 的耐压能力,同时具备出色的热性能表现,能够满足现代电力电子系统对高效率和紧凑设计的需求。
额定电压:600V
额定电流:4A
导通电阻:5mΩ
栅极电荷:35nC
输入电容:1850pF
反向恢复电荷:无(由于 GaN 结构特点)
最大工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 高耐压能力:支持高达 600V 的工作电压,适用于多种高压应用场景。
2. 极低导通电阻:仅为 5mΩ,显著降低传导损耗,提升整体效率。
3. 快速开关性能:得益于 GaN 技术,开关频率可达到 MHz 级别,适合高频应用。
4. 小型化设计:采用 DFN 封装,体积小巧,有助于实现更高功率密度的解决方案。
5. 出色的热性能:能够在极端温度条件下可靠运行,适应各种恶劣环境。
6. 零反向恢复电荷:消除了与传统二极管相关的反向恢复问题,进一步减少开关损耗。
7. 易于驱动:兼容现有 MOSFET 驱动器,简化系统设计。
1. 开关电源(SMPS):
- AC/DC 转换器
- DC/DC 变换器
2. 电机驱动:
- 工业自动化中的逆变器
- 伺服控制系统
3. 通信设备:
- 电信基站电源
- 数据中心供电模块
4. 消费类电子产品:
- 笔记本电脑适配器
- USB-PD 充电器
5. 新能源领域:
- 太阳能逆变器
- 电动车车载充电器
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