您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MA0402CG5R0D500

MA0402CG5R0D500 发布时间 时间:2025/7/1 1:04:11 查看 阅读:7

MA0402CG5R0D500 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率电子器件,具体属于增强型 GaN 场效应晶体管(eGaN FET)。该型号由知名半导体厂商设计生产,广泛应用于高效率、高频开关场景。相比传统硅基 MOSFET,该 GaN 器件具有更低的导通电阻、更高的开关速度和更小的寄生电容,适用于电源管理、工业驱动、通信设备等领域。
  其封装形式为行业标准的 DFN 封装,便于表面贴装工艺。该器件支持高达 600V 的耐压能力,同时具备出色的热性能表现,能够满足现代电力电子系统对高效率和紧凑设计的需求。

参数

额定电压:600V
  额定电流:4A
  导通电阻:5mΩ
  栅极电荷:35nC
  输入电容:1850pF
  反向恢复电荷:无(由于 GaN 结构特点)
  最大工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 高耐压能力:支持高达 600V 的工作电压,适用于多种高压应用场景。
  2. 极低导通电阻:仅为 5mΩ,显著降低传导损耗,提升整体效率。
  3. 快速开关性能:得益于 GaN 技术,开关频率可达到 MHz 级别,适合高频应用。
  4. 小型化设计:采用 DFN 封装,体积小巧,有助于实现更高功率密度的解决方案。
  5. 出色的热性能:能够在极端温度条件下可靠运行,适应各种恶劣环境。
  6. 零反向恢复电荷:消除了与传统二极管相关的反向恢复问题,进一步减少开关损耗。
  7. 易于驱动:兼容现有 MOSFET 驱动器,简化系统设计。

应用

1. 开关电源(SMPS):
   - AC/DC 转换器
   - DC/DC 变换器
  2. 电机驱动:
   - 工业自动化中的逆变器
   - 伺服控制系统
  3. 通信设备:
   - 电信基站电源
   - 数据中心供电模块
  4. 消费类电子产品:
   - 笔记本电脑适配器
   - USB-PD 充电器
  5. 新能源领域:
   - 太阳能逆变器
   - 电动车车载充电器

替代型号

MA0402CG5R0D501
  MA0402CG5R0D502

MA0402CG5R0D500推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价