时间：2025/7/10 1:24:55
阅读：17
MA0402CG560G100 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用增强型横向场效应晶体管（e-mode HEMT）结构，具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能。其封装形式紧凑，适合用于开关电源、DC-DC转换器、无线充电以及工业驱动等应用领域。
此型号属于 MACOM 的 GaN 系列产品，主要面向对效率和尺寸有严格要求的现代电力电子系统。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2A
导通电阻：70mΩ
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
输入电容：1200pF
反向传输电容：200pF
工作结温范围：-55℃~+150℃
封装类型：DFN8
MA0402CG560G100 具有以下关键特性：
1. 高击穿电压能力，支持高达 600V 的漏源电压，适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低传导损耗并提升整体效率。
3. 快速开关速度，具备纳秒级开关时间，减少开关损耗。
4. 内置 ESD 保护功能，提高器件在实际使用中的可靠性。
5. 小巧的 DFN8 封装，节省 PCB 空间，同时优化了散热路径。
6. 良好的温度稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现。
MA0402CG560G100 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和适配器设计，提供高效的能量转换。
2. DC-DC 转换器，尤其是需要高频操作的小型化设计。
3. 工业电机驱动和逆变器，满足高可靠性和高效能需求。
4. 无线充电设备，利用其快速开关特性实现高效能量传输。
5. 新能源汽车相关电路，例如车载充电器和电池管理系统中的功率转换模块。
MA0402CG650G120, MA0402CG560G150
