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MA0402CG431G500 发布时间 时间:2025/7/3 23:07:54 查看 阅读:6

MA0402CG431G500 是一款基于硅基技术的高效能功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,在保证低导通电阻的同时,具备出色的开关性能和高可靠性。其封装形式和电气参数经过优化设计,适合高频应用环境。
  该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET 系列,具有较低的栅极电荷和快速的开关速度,能够显著降低电路中的能量损耗。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:2A
  导通电阻(典型值):43mΩ
  栅极电荷:9nC
  总栅极电荷:13nC
  输入电容:120pF
  输出电容:26pF
  反向传输电容:8pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

MA0402CG431G500 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于复杂电子系统。
  3. 高度可靠的设计,确保在极端温度条件下稳定运行。
  4. 小型化封装,节省印刷电路板空间,便于紧凑型设计。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该芯片适用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和初级开关。
  2. 电池管理系统的充放电控制电路。
  3. 工业自动化设备中的电机驱动和负载切换。
  4. LED 照明驱动器及便携式电子设备的电源管理。
  5. DC-DC 转换器与降压/升压电路中的关键功率组件。

替代型号

MA0402CG431G300, MA0402CG431G600

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