时间：2025/7/3 23:07:54
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MA0402CG431G500 是一款基于硅基技术的高效能功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，在保证低导通电阻的同时，具备出色的开关性能和高可靠性。其封装形式和电气参数经过优化设计，适合高频应用环境。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET 系列，具有较低的栅极电荷和快速的开关速度，能够显著降低电路中的能量损耗。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：2A
导通电阻（典型值）：43mΩ
栅极电荷：9nC
总栅极电荷：13nC
输入电容：120pF
输出电容：26pF
反向传输电容：8pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
MA0402CG431G500 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适用于复杂电子系统。
3. 高度可靠的设计，确保在极端温度条件下稳定运行。
4. 小型化封装，节省印刷电路板空间，便于紧凑型设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该芯片适用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和初级开关。
2. 电池管理系统的充放电控制电路。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和负载切换。
4. LED 照明驱动器及便携式电子设备的电源管理。
5. DC-DC 转换器与降压/升压电路中的关键功率组件。
MA0402CG431G300, MA0402CG431G600
