MA0402CG431G500 是一款基于硅基技术的高效能功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,在保证低导通电阻的同时,具备出色的开关性能和高可靠性。其封装形式和电气参数经过优化设计,适合高频应用环境。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET 系列,具有较低的栅极电荷和快速的开关速度,能够显著降低电路中的能量损耗。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:2A
导通电阻(典型值):43mΩ
栅极电荷:9nC
总栅极电荷:13nC
输入电容:120pF
输出电容:26pF
反向传输电容:8pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
MA0402CG431G500 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于复杂电子系统。
3. 高度可靠的设计,确保在极端温度条件下稳定运行。
4. 小型化封装,节省印刷电路板空间,便于紧凑型设计。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
该芯片适用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和初级开关。
2. 电池管理系统的充放电控制电路。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和负载切换。
4. LED 照明驱动器及便携式电子设备的电源管理。
5. DC-DC 转换器与降压/升压电路中的关键功率组件。
MA0402CG431G300, MA0402CG431G600