型号：MA0402CG430J500
　　类别：射频功率晶体管
　　工艺：GaAs MMIC
　　封装形式：陶瓷气密封装
　　最大功率：100W
　　工作频率范围：4.0GHz - 4.2GHz
　　增益：大于25dB
　　效率：大于50%
　　输入匹配阻抗：50Ω
　　输出匹配阻抗：50Ω
　　供电电压：28V
　　工作温度范围：-55℃ 至 +100℃

MA0402CG430J500 的核心优势在于其在高频段具备强大的功率处理能力和高效的能量转换性能。
　　1. 高功率密度：该器件能够在有限的芯片面积内实现高达100W的输出功率，非常适合要求严格的应用场景。
　　2. 宽带兼容性：尽管标称频率为4.0GHz至4.2GHz，但实际测试表明其能够支持更宽的工作频段，灵活性强。
　　3. 出色的热稳定性：得益于优化的内部结构设计和陶瓷气密封装技术，器件在高温或极端环境下的性能表现依然稳定。
　　4. 易于集成：器件内置了输入/输出匹配网络，从而减少了外部元件的需求，简化了系统设计过程。
　　5. 线性度优越：在高功率输出条件下，仍能保持较低的失真率，满足现代通信系统对信号质量的要求。

MA0402CG430J500 主要用于需要高效射频功率放大的场合，具体包括：
　　1. 军用及民用雷达系统：如天气雷达、空中交通管制雷达等。
　　2. 无线通信基站：特别是在C波段的通信应用中，这款器件能够提供稳定的功率输出。
　　3. 卫星通信设备：支持卫星发射机中的功率放大功能。
　　4. 测试与测量仪器：例如矢量信号发生器、频谱分析仪等，作为内部功率放大组件。
　　5. 航空航天领域：为各类飞行器上的射频设备提供可靠的功率支持。

MA0402CG430J700
　　MA0402DG430J500