时间：2025/7/3 23:05:19
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MA0402CG390G250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频和高功率应用。该器件具有出色的开关性能、低导通电阻和高击穿电压，能够在高频条件下提供高效的能量转换。
这款 GaN 晶体管采用增强型设计（E-Mode），使其在正常工作时需要正向栅极驱动电压才能导通，从而简化了驱动电路的设计并提高了系统的可靠性。
型号：MA0402CG390G250
类型：增强型高电子迁移率晶体管 (E-Mode HEMT)
材料：氮化镓 (GaN)
额定电压：650 V
额定电流：90 A
导通电阻：1.8 mΩ（典型值）
栅极电荷：100 nC（最大值）
输入电容：1500 pF（典型值）
输出电容：25 pF（典型值）
反向恢复时间：无（由于是 GaN 器件）
封装形式：TO-247-4L
MA0402CG390G250 的主要特性包括：
1. 高效率：得益于低导通电阻和快速开关性能，能够显著降低传导损耗和开关损耗。
2. 高频率运行能力：适合高频开关应用，可实现更小体积的电源系统设计。
3. 热性能优越：GaN 技术使得器件在高功率密度下仍能保持较低的工作温度。
4. 简化的驱动设计：作为增强型晶体管，仅需标准正向栅极驱动即可工作。
5. 集成保护功能：部分版本内嵌过流保护和热关断功能，提高系统稳定性。
6. 兼容性好：可以与现有的硅基驱动器无缝配合使用。
MA0402CG390G250 广泛应用于以下领域：
1. 数据中心服务器电源供应单元（PSU）。
2. 工业电机驱动和逆变器系统。
3. 新能源汽车中的车载充电器（OBC）和 DC-DC 转换器。
4. 太阳能光伏逆变器和其他可再生能源设备。
5. 高效 AC-DC 和 DC-DC 开关电源模块。
6. 快速充电适配器等消费类电子产品电源解决方案。
MA0402CG390G200
MA0402CG390G300
GA100-065D
GXT65R018A
