MA0402CG331F500 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率电子芯片,主要用于高频开关应用。该芯片集成了高效率和低损耗设计,能够显著提升电力转换系统的性能。它适用于电源适配器、快充设备、DC-DC转换器等场景,支持高效的功率密度和小型化设计。
该器件采用了先进的封装工艺,确保了散热性能和电气性能的平衡,同时提供出色的可靠性和稳定性。
型号:MA0402CG331F500
类型:功率晶体管
材料:氮化镓 (GaN)
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:8A
导通电阻:35mΩ
栅极驱动电压:4.5V 至 6V
开关频率:高达 2MHz
封装形式:DFN8x8
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
结温:150℃
MA0402CG331F500 具备以下显著特点:
1. 高效性能:采用氮化镓技术,具有更低的导通电阻和开关损耗,适合高效率应用。
2. 快速开关能力:支持高达 2MHz 的开关频率,能够实现更小的磁性元件设计。
3. 小型化设计:DFN8x8 封装使其易于集成到紧凑型电路板中。
4. 热性能优越:优化的封装设计有效提高了散热性能。
5. 高可靠性:通过严格的测试流程,确保在各种环境下的稳定运行。
6. 宽工作温度范围:能够在 -40℃ 至 +125℃ 的范围内正常工作,适应多种应用场景。
MA0402CG331F500 广泛应用于以下领域:
1. USB PD 快充适配器:
能够支持大功率输出,同时保持高效率和小型化。
2. 开关电源 (SMPS):
在 AC-DC 和 DC-DC 转换中表现出色,降低能量损耗。
3. 无线充电模块:
提供高效率的能量传输,满足无线充电的需求。
4. 工业电源:
用于高频逆变器、电机驱动和其他工业设备。
5. 消费类电子产品:
包括笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等需要高效能的产品。
MA0402CG331F400
MA0402CG331F600
GA10N65T3S