MA0402CG331F250 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,主要应用于高频、高效率的电力电子领域。该型号采用常关型(Enhancement Mode)设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。
类型:增强型氮化镓场效应晶体管
额定电压:650 V
额定电流:25 A
导通电阻:33 mΩ
栅极电荷:65 nC
输入电容:1300 pF
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装形式:TO-247
MA0402CG331F250 使用了先进的氮化镓技术,相比传统硅基MOSFET,其具有更低的导通电阻和更高的开关频率,能够显著提高系统的效率和功率密度。
该器件还具备优异的热性能和可靠性,在高温环境下仍能保持稳定的电气特性。
此外,其内部集成了保护功能,例如过流保护和静电防护,从而增强了产品的鲁棒性。
由于其快速的开关速度,MA0402CG331F250 可以有效降低开关损耗,适用于硬开关和软开关拓扑结构。
MA0402CG331F250 广泛应用于高频开关电源、光伏逆变器、电动汽车充电设备、工业电机驱动、服务器电源模块等领域。
在这些应用场景中,它能够提供高效的功率转换,同时减少系统体积和重量,满足现代电力电子设备对高性能和小型化的需求。
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