您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MA0402CG220J100

MA0402CG220J100 发布时间 时间:2025/3/25 10:01:59 查看 阅读:8

MA0402CG220J100 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用增强型场效应晶体管(e-mode FET)结构,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种开关电源、DC-DC转换器和无线充电等应用领域。
  这款芯片通过优化的栅极驱动设计和热管理性能,能够在高频工作条件下提供卓越的效率表现,同时其小型化的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:22A
  导通电阻:25mΩ
  栅极电荷:80nC
  开关频率:最高支持5MHz
  封装形式:TO-247-3L
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有效降低传导损耗。
  2. 高频开关能力,适合高频电力电子应用。
  3. 内置过流保护和短路保护功能,提升系统可靠性。
  4. 采用氮化镓材料,具备更高的能效和更好的热稳定性。
  5. 小尺寸封装,节省PCB空间并简化设计布局。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 无线充电模块
  4. 工业电机驱动
  5. 太阳能逆变器
  6. 汽车电子系统中的高效电源管理

替代型号

MA0402CG220K100
  GA600N220W1
  NexFET CSD19532KCS

MA0402CG220J100推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价