时间：2025/3/25 10:01:59
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MA0402CG220J100 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）结构，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种开关电源、DC-DC转换器和无线充电等应用领域。
这款芯片通过优化的栅极驱动设计和热管理性能，能够在高频工作条件下提供卓越的效率表现，同时其小型化的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：22A
导通电阻：25mΩ
栅极电荷：80nC
开关频率：最高支持5MHz
封装形式：TO-247-3L
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有效降低传导损耗。
2. 高频开关能力，适合高频电力电子应用。
3. 内置过流保护和短路保护功能，提升系统可靠性。
4. 采用氮化镓材料，具备更高的能效和更好的热稳定性。
5. 小尺寸封装，节省PCB空间并简化设计布局。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 无线充电模块
4. 工业电机驱动
5. 太阳能逆变器
6. 汽车电子系统中的高效电源管理
MA0402CG220K100
GA600N220W1
NexFET CSD19532KCS
