MA0402CG1R8C100 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,属于高效能开关器件。该型号专为高频、高效率应用场景设计,能够显著提升电力电子系统的性能表现。其核心优势在于低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、无线充电以及电机驱动等领域。
此芯片采用先进的封装工艺,能够在高频工作条件下保持较低的热损耗,同时具备良好的散热性能和可靠性。此外,它还集成了多种保护功能,如过流保护、过温保护等,以确保在复杂环境下的稳定运行。
型号:MA0402CG1R8C100
类型:增强型氮化镓功率晶体管
导通电阻:1.8mΩ(典型值,@VGS=6V)
最大漏源电压:600V
最大栅极电压:±8V
最大连续漏电流:12A
额定脉冲漏电流:36A
开关频率:高达5MHz
封装形式:TO-247-3L
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 基于氮化镓(GaN)材料制造,具有出色的高频和高效率性能。
2. 极低的导通电阻(1.8mΩ),有效减少传导损耗。
3. 快速开关速度,支持高达5MHz的工作频率。
4. 内置多重保护机制,包括过流保护、过温保护和短路保护。
5. 高耐压能力(600V),适合宽输入电压范围的应用。
6. 先进的封装技术,优化了散热性能和电气连接稳定性。
7. 广泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),适应各种极端环境条件。
8. 简化系统设计并提高功率密度,降低整体解决方案的成本。
1. 开关电源(Switching Power Supplies)
2. DC-DC转换器
3. 无线充电设备
4. 电机驱动与控制
5. 太阳能逆变器
6. 电动汽车充电模块
7. 工业自动化设备中的高效电源管理
8. LED驱动器及其他高频功率变换场合
MA0402CG2R0C100, MA0402CG1R5C100