时间：2025/6/24 7:56:21
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MA0402CG1R2B250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高功率应用设计。该器件具有出色的开关特性和低导通电阻，能够显著提高电源转换效率，并降低热损耗。
此芯片采用表面贴装封装，适合自动化生产，广泛应用于工业、通信以及消费类电子领域。
型号：MA0402CG1R2B250
类型：增强型场效应晶体管 (E-Mode HEMT)
材料：氮化镓 (GaN)
最大漏源电压（Vds）：650 V
栅极驱动电压（Vgs）：-3 至 6 V
连续漏极电流（Id）：25 A
输出电容（Coss）：80 pF
导通电阻（Rds(on)）：1.2 mΩ
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-4L
MA0402CG1R2B250 的主要特性包括以下几点：
1. 高效性能：凭借其低导通电阻和快速开关能力，这款 GaN 晶体管在硬开关和软开关应用中表现出卓越的效率。
2. 高耐压能力：支持高达 650V 的漏源电压，使其适用于各种高压场景。
3. 减少寄生效应：得益于先进的 GaN 工艺，器件内部的寄生参数被降到最低，从而改善了动态性能。
4. 热稳定性强：即使在高温环境下运行，该器件也能保持稳定的电气特性。
5. 小型化设计：采用紧凑型封装，有助于节省 PCB 空间并简化布局设计。
MA0402CG1R2B250 广泛用于需要高性能和高效率的电力电子系统中，典型的应用领域如下：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动器
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车充电设备
6. 数据中心供电模块
此外，它也适用于通信基站和工业控制等要求苛刻的环境。
MA0402CG1R2B200
MA0402DG1R2B250
GAN041-650WSA
