MA0402CG180G160 是一款基于砷化镓(GaAs)材料制造的高电子迁移率晶体管(HEMT),专为射频和微波应用设计。该芯片具有出色的高频性能、低噪声特性和高增益,适用于无线通信、雷达系统以及卫星通信等领域。其紧凑的封装形式使其适合在空间受限的应用场景中使用。
这款器件采用了先进的半导体工艺技术,能够提供稳定的输出功率和高效的信号放大功能,同时具备良好的线性度和抗干扰能力。
型号:MA0402CG180G160
类型:HEMT (高电子迁移率晶体管)
材料:砷化镓 (GaAs)
工作频率范围:2 GHz 至 18 GHz
增益:16 dB 典型值
输出功率(1 dB 压缩点):+20 dBm 典型值
噪声系数:2.5 dB 典型值
最大输入功率:+10 dBm
电源电压:+4 VDC
静态电流:75 mA 典型值
封装形式:芯片级封装 (CSP)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
MA0402CG180G160 的主要特性包括:
1. 高频率范围支持,覆盖从 2 GHz 到 18 GHz 的广泛频段,满足多种无线通信需求。
2. 稳定的高增益表现,典型增益达到 16 dB,确保信号放大的可靠性。
3. 低噪声系数设计,典型值仅为 2.5 dB,有效减少信号传输中的失真。
4. 较高的输出功率,在 1 dB 压缩点下可提供 +20 dBm 的功率输出。
5. 良好的线性度和抗干扰能力,保证在复杂电磁环境下的稳定运行。
6. 小型化的芯片级封装,节省电路板空间并简化安装过程。
7. 宽泛的工作温度范围,适应各种严苛环境条件。
MA0402CG180G160 广泛应用于以下领域:
1. 无线通信设备,例如基站、中继器及移动终端的射频前端模块。
2. 雷达系统,用于目标探测与跟踪,特别是需要高精度和快速响应的场合。
3. 卫星通信,作为上行链路或下行链路中的关键放大组件。
4. 测试测量仪器,如频谱分析仪、网络分析仪等,提供精确的信号放大功能。
5. 医疗设备中的高频信号处理单元,保障数据采集的准确性和实时性。
6. 工业自动化控制系统,实现远程监控和数据传输。
MA0402CG160F180, MA0401CG180G160