型号：MA0402CG180G160
　　类型：HEMT (高电子迁移率晶体管)
　　材料：砷化镓 (GaAs)
　　工作频率范围：2 GHz 至 18 GHz
　　增益：16 dB 典型值
　　输出功率（1 dB 压缩点）：+20 dBm 典型值
　　噪声系数：2.5 dB 典型值
　　最大输入功率：+10 dBm
　　电源电压：+4 VDC
　　静态电流：75 mA 典型值
　　封装形式：芯片级封装 (CSP)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

MA0402CG180G160 的主要特性包括：
　　1. 高频率范围支持，覆盖从 2 GHz 到 18 GHz 的广泛频段，满足多种无线通信需求。
　　2. 稳定的高增益表现，典型增益达到 16 dB，确保信号放大的可靠性。
　　3. 低噪声系数设计，典型值仅为 2.5 dB，有效减少信号传输中的失真。
　　4. 较高的输出功率，在 1 dB 压缩点下可提供 +20 dBm 的功率输出。
　　5. 良好的线性度和抗干扰能力，保证在复杂电磁环境下的稳定运行。
　　6. 小型化的芯片级封装，节省电路板空间并简化安装过程。
　　7. 宽泛的工作温度范围，适应各种严苛环境条件。

MA0402CG180G160 广泛应用于以下领域：
　　1. 无线通信设备，例如基站、中继器及移动终端的射频前端模块。
　　2. 雷达系统，用于目标探测与跟踪，特别是需要高精度和快速响应的场合。
　　3. 卫星通信，作为上行链路或下行链路中的关键放大组件。
　　4. 测试测量仪器，如频谱分析仪、网络分析仪等，提供精确的信号放大功能。
　　5. 医疗设备中的高频信号处理单元，保障数据采集的准确性和实时性。
　　6. 工业自动化控制系统，实现远程监控和数据传输。

MA0402CG160F180, MA0401CG180G160