时间：2025/7/12 17:01:12
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MA0402CG102G250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率开关器件，专为高频、高效率电源转换应用设计。该器件采用了先进的横向场效应晶体管 (e-mode HEMT) 结构，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统的能量转换效率并减小整体尺寸。
此型号适用于 DC-DC 转换器、无线充电设备、LED 驱动器以及各种消费类电子产品的电源管理系统。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：3.3A
导通电阻：120mΩ
栅极阈值电压：1.7V~3.5V
工作温度范围：-40℃~125℃
封装形式：DFN8
MA0402CG102G250 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压（600V）确保了其在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻（120mΩ）减少了传导损耗，从而提高了系统效率。
3. 快速开关性能降低了开关损耗，特别适合高频应用。
4. 内置保护功能包括过温保护和过流保护，提升了产品的可靠性。
5. 小型化封装（DFN8）使其非常适合空间受限的设计。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）和 AC-DC 适配器。
2. USB-PD 快充解决方案。
3. 高频 DC-DC 转换器。
4. LED 照明驱动电路。
5. 消费类电子产品中的高效电源管理模块。
MA0402CG102G220, MA0402CG102G300
