MA0402CG0R6C250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管,属于 Cascode 结构的增强型器件。该产品采用 TO-252 封装形式,适用于高效率电源转换、DC-DC 转换器、电机驱动和快充适配器等应用领域。
由于其低导通电阻和高开关速度特性,MA0402CG0R6C250 在高频工作条件下表现优异,能够显著降低系统损耗并提升整体性能。
型号:MA0402CG0R6C250
封装:TO-252
最大漏源电压(Vds):600V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):0.6Ω
连续漏极电流(Id):2.3A
峰值脉冲漏极电流(Idp):12A
栅极电荷(Qg):35nC
反向恢复时间(trr):9ns
工作温度范围(Tj):-55℃ to +175℃
1. 高击穿电压支持高达 600V 的应用环境,增强了器件在高压条件下的稳定性。
2. 极低的导通电阻为 0.6Ω,在大电流应用中减少了功耗。
3. 快速开关特性(trr=9ns)使其适合高频开关场景,例如开关电源和 DC-DC 转换器。
4. 内置 Cascode 拓扑结构简化了驱动电路设计,并兼容传统 MOSFET 栅极驱动方案。
5. 宽广的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),保证了其在恶劣环境下仍能正常运行。
6. GaN 材料的使用提升了功率密度和效率,同时缩小了整体系统尺寸。
7. 提供出色的 EMI 性能,进一步优化了电磁干扰问题。
1. 开关电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动器
4. 充电器及适配器
5. LED 照明驱动
6. 太阳能微型逆变器
7. 工业自动化设备中的高频功率变换模块
MA0402CG0R6C200
MA0402DG0R6C250