时间：2025/6/23 10:46:38
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MA0402CG0R5C500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效和高功率密度应用设计。该芯片在射频放大器、通信设备以及雷达系统中表现出卓越性能。得益于其低寄生电容和高击穿电压特性，这款 GaN HEMT 能够支持宽禁带半导体的先进应用场景。
型号：MA0402CG0R5C500
封装形式：裸芯片（Die）
额定电压：100V
输出功率：50W
工作频率范围：DC-4GHz
增益：15dB（典型值）
输入匹配阻抗：50Ω
输出匹配阻抗：50Ω
最大漏极电流：1.6A
热阻：25°C/W
结温范围：-55°C 至 +175°C
MA0402CG0R5C500 采用先进的 GaN-on-SiC 技术制造，具有非常低的导通电阻和极高的开关速度，使得其在高频和高功率场景下表现优异。此外，它具备出色的线性度和效率，非常适合于无线基础设施中的 PA（功率放大器）模块。
由于 GaN 的材料优势，该器件可以在高温环境下稳定运行，同时提供更低的功耗和更小的尺寸解决方案。与传统硅基 LDMOS 器件相比，MA0402CG0R5C500 提供更高的功率密度和带宽覆盖能力。
MA0402CG0R5C500 广泛应用于射频功率放大器领域，特别是在无线通信基站、卫星通信系统和雷达设备中。它可以作为 Doherty 放大器的一部分，用于提升效率；也可以集成到点对点微波链路中，以实现更高数据传输速率。
此外，这款 GaN HEMT 还适合于测试与测量仪器、航空航天及国防相关产品中，满足高性能要求的应用需求。
MA0402CG0R5C300, MA0402CG0R5C800
