MA0201XR222J100 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计。该器件主要应用于需要高效率、低导通电阻以及快速开关特性的电路中。其封装形式为行业标准,适合表面贴装技术(SMT),具有良好的散热性能和机械稳定性。
这款功率MOSFET特别适用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及各类电源管理应用。由于其优异的电气特性,MA0201XR222J100 在要求高效率与低功耗的应用场景中表现出色。
型号:MA0201XR222J100
类型:N沟道增强型MOSFET
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻):1.5mΩ
Id(连续漏极电流):130A
Vgs(th)(栅极开启电压):2.2V
Qg(总栅极电荷):40nC
EAS(雪崩能量):80mJ
封装:TO-263-3
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
MA0201XR222J100 的主要特点是其低导通电阻(Rds(on) 仅为1.5mΩ),这使其在大电流应用场景中能够显著降低导通损耗。此外,该器件的总栅极电荷(Qg)较小,仅为40nC,有助于实现快速开关切换,从而减少开关损耗。
同时,该芯片支持高达130A的连续漏极电流,并具备出色的热稳定性,能够在高温环境下长期稳定运行。其60V的额定漏源极电压也确保了在多种高压应用中的可靠性。另外,MA0201XR222J100 的栅极开启电压较低,为2.2V,因此非常适合低压逻辑电平驱动系统。
为了提高系统的鲁棒性,该器件还具备80mJ的雪崩能量能力,增强了在异常条件下(如过压或短路)的抗干扰能力。
MA0201XR222J100 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动与控制
4. 负载开关
5. 电池管理系统(BMS)
6. 工业自动化设备
7. 汽车电子系统
由于其高效能和高可靠性,该芯片非常适合需要频繁开关操作和高电流传输的复杂电子系统。
IRF2807,
STP130NF60,
FDP16N60,
IXFN130N6W,
AOT290L