MA0201XR221M500 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的半导体制造工艺设计,主要应用于高效率电源转换、电机驱动以及负载开关等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高频工作条件下保持较低的功耗。
其封装形式为行业标准的小型化封装,便于在紧凑型设计中使用,同时具备良好的散热性能。此外,该芯片还支持较高的持续电流能力,适用于多种工业和消费类电子设备。
型号:MA0201XR221M500
类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
最大漏源电压Vds:60V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:40A
导通电阻Rds(on):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总栅极电荷Qg:78nC
输入电容Ciss:2930pF
输出电容Coss:135pF
开关速度:快速开关
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
MA0201XR221M500 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用,减少开关损耗。
3. 高电流承载能力,支持高达 40A 的连续漏极电流。
4. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 小型化的封装设计,节省 PCB 空间。
6. 内置 ESD 保护,增强抗静电能力。
7. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
这些特性使得该芯片非常适合用于高效能要求的应用环境。
MA0201XR221M500 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)及 DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机驱动。
3. 汽车电子系统中的负载切换与控制。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护。
5. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统中的功率转换模块。
6. 高效负载开关和保护电路设计。
由于其出色的电气特性和可靠性,MA0201XR221M500 成为了许多高功率密度设计的理想选择。
IRF3205
STP40NF06L
FDP5800
AOT460
IXFN40N06T2