时间：2025/6/30 17:25:42
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MA0201XR101J250 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），属于增强型 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于高频开关应用和功率转换场景。
这款 MOSFET 主要用于提高效率和降低功耗，适合于各类电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等。
型号：MA0201XR101J250
类型：N 沟道 MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压 Vds：30V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id：48A
导通电阻 Rds(on)：2.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
总栅极电荷 Qg：37nC
输入电容 Ciss：1660pF
输出电容 Coss：220pF
反向传输电容 Crss：75pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保高效率和低功耗。
2. 高速开关能力，支持高频应用。
3. 较高的电流处理能力，能够承受较大的负载。
4. 增强的热稳定性，可在极端温度条件下可靠运行。
5. 小型封装设计，节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
7. 内置 ESD 保护功能，提高抗静电能力。
8. 优化的动态性能参数（如栅极电荷和电容值），提升系统整体效率。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载控制。
5. 各类工业自动化设备中的功率级控制。
6. LED 驱动器中的电流调节。
7. 汽车电子系统中的功率分配与管理。
8. 快速充电适配器中的功率开关元件。
IRLZ44N, FDP5580, AO3400
