MA0201XF221K250 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统的效率和可靠性。
这款功率MOSFET支持高频操作,同时具备优异的热性能和抗静电能力(ESD),非常适合在高功率密度设计中使用。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):200V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):25A
导通电阻(Rds(on)):22mΩ
总栅极电荷(Qg):37nC
开关速度:快速开关
封装形式:TO-247
MA0201XF221K250 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效减少传导损耗,提升整体系统效率。
2. 快速开关特性,降低开关损耗,适合高频应用场景。
3. 高雪崩能量能力,增强器件的鲁棒性,防止异常条件下的损坏。
4. 优异的热稳定性,确保在高功率负载下保持稳定性能。
5. 良好的抗静电能力,提高器件在各种环境中的可靠性。
6. 小型化设计,节省PCB空间,满足紧凑型设计需求。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 工业控制
6. 汽车电子系统
由于其出色的电气特性和热性能,MA0201XF221K250 成为许多高功率密度应用的理想选择。
IRFP260N
FDP027N20S
STP25NF20
IXFK24N200T2