时间：2025/6/28 11:23:41
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MA0201CG8R2C250 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低系统功耗并提升整体性能。
该芯片采用 TO-263 封装形式，适合表面贴装工艺，同时具备出色的热特性和电气稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持良好的性能。
型号：MA0201CG8R2C250
封装：TO-263
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：2.5mΩ
ID（连续漏极电流）：120A
fT（特征频率）：4.5MHz
Qg（栅极电荷）：55nC
VGS(th)（阈值电压）：2.2V
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
MA0201CG8R2C250 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (2.5mΩ)，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高电流承载能力 (120A)，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度和低栅极电荷 (55nC)，可实现高频操作并降低开关损耗。
4. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业需求。
6. 优异的热阻性能，有效提升散热能力。
MA0201CG8R2C250 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电机驱动电路，包括无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 高效 DC-DC 转换模块。
4. 太阳能逆变器和储能系统。
5. 工业自动化设备中的功率控制。
6. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的功率管理系统。
7. LED 照明驱动电路。
MA0201CG8R2C200, MA0201CG8R2C300
