时间：2025/7/11 13:30:31
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MA0201CG7R0B500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频、高功率应用场景设计。该型号属于高效能 GaN HEMT 系列，具有低导通电阻和快速开关性能的特点，广泛应用于电源转换、射频放大器以及新能源汽车等领域。
类型：增强型场效应晶体管 (E-Mode FET)
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：20 A
导通电阻：7 mΩ
栅极电荷：80 nC
反向恢复时间：无 (内置肖特基二极管)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
MA0201CG7R0B500 具备出色的电气性能和可靠性，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高达 3 MHz 的工作频率。
3. 内置优化的保护机制，确保在过流和短路情况下的安全运行。
4. 小型化的封装设计，节省电路板空间。
5. 高温适应性，能够在极端环境下稳定工作。
6. 采用先进的 GaN 技术，相比传统硅基 MOSFET 提供更高的功率密度和更低的能量损失。
该芯片适用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的充电系统。
3. 工业电机驱动和变频器。
4. 太阳能逆变器和储能系统。
5. 高频射频放大器及通信设备。
6. 数据中心服务器电源模块。
MA0201CG6R0B500
MA0101CG7R0B500
GA06R010B500
