MA0201CG6R0D500 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,属于 Microchip 的 GaN FET 系列。该器件采用常关型设计,内置驱动器优化和保护电路,适用于高频、高效率电源转换应用。其出色的开关性能和低导通电阻使其成为新一代电力电子设备的理想选择。
该型号的设计目标是满足工业级应用对高可靠性和高性能的需求,同时支持紧凑型设计。它集成了增强型保护功能,例如过流保护、短路保护和热关断机制,以提高系统稳定性。
额定电压:650V
额定电流:20A
导通电阻:40mΩ
栅极电荷:9nC
最大工作结温:175℃
封装形式:TO-247-4L
MA0201CG6R0D500 具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg),可显著降低导通损耗和开关损耗。
2. 高速开关能力,支持高达 2MHz 的开关频率。
3. 内置完善的保护功能,包括过流保护、短路保护和热关断机制。
4. 提供快速响应时间,减少动态损耗。
5. 工作温度范围宽 (-55℃ 至 +175℃),适应各种恶劣环境。
6. 高可靠性设计,符合工业标准,适合长时间运行的应用场景。
7. 封装形式为 TO-247-4L,便于散热管理并支持大功率应用。
MA0201CG6R0D500 广泛应用于以下领域:
1. 高效 DC-DC 转换器和逆变器。
2. 消费类和工业类开关模式电源 (SMPS)。
3. 电动汽车充电基础设施中的功率转换模块。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率控制单元。
5. 数据中心服务器电源和其他高密度电源解决方案。
6. LED 驱动器和电机驱动器等需要高频开关的应用。
MA0201CG6R0D650
MA0201CG6R0D800
MA0201CG6R0D1200