时间：2025/6/21 23:02:01
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MA0201CG680J250 是一款基于硅技术的高压 MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和开关应用。该器件采用 TO-247 封装，能够提供高效率和可靠的性能。其设计特点包括低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压，适用于工业和消费类电子设备中的多种场景。
类型：MOSFET
极性：N-channel
最大漏源电压(Vdss)：680V
连续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：0.18 ohms
栅极电荷(Qg)：35nC
总功耗(Ptot)：290W
封装：TO-247
MA0201CG680J250 提供了出色的电气性能和可靠性。其主要特点是高耐压能力，可承受高达 680V 的漏源电压，适合用于高压环境下的功率控制。同时，它具备较低的导通电阻 (Rds(on))，能够在大电流条件下减少功率损耗。
此外，这款 MOSFET 具备快速开关能力，得益于其优化的栅极电荷 (Qg)，使得其在高频应用中表现出色。由于采用了先进的硅工艺和封装技术，该器件能够在高温环境下稳定工作，并具有较强的抗干扰能力。
此芯片还具备良好的热性能，能够有效散发运行时产生的热量，从而延长使用寿命并提高系统整体效率。
MA0201CG680J250 广泛应用于需要高电压和大电流处理能力的领域，例如开关电源 (SMPS)、电机驱动器、逆变器、太阳能光伏系统、不间断电源 (UPS) 和工业自动化设备等。其高效率和可靠性的特点使其成为功率转换电路的理想选择。此外，在电动汽车充电站和 LED 照明驱动器中也得到了广泛应用。
MA0201CG680J200, IRFP260N, STP20NF65
