时间：2025/6/28 11:20:54
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MA0201CG4R0C250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的封装工艺，能够提供卓越的性能表现，同时具备更高的功率密度和更低的开关损耗。它广泛适用于开关电源、逆变器以及电机驱动等场景。
型号：MA0201CG4R0C250
类型：增强型 GaN HEMT
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：15A
导通电阻：40mΩ（典型值，@ Vgs=6V）
栅极电荷：70nC（典型值）
反向恢复时间：无（零反向恢复特性）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
MA0201CG4R0C250 拥有以下显著特点：
1. 高效开关性能：得益于其超低的导通电阻和快速开关能力，适合高频操作。
2. 热稳定性强：能够在高温环境下保持稳定的电气性能，适用于严苛工况。
3. 减少电磁干扰：由于零反向恢复特性，减少了开关过程中产生的噪声问题。
4. 封装紧凑：采用表面贴装封装形式，简化了PCB布局并降低了寄生电感的影响。
5. 易于驱动：优化的栅极阈值电压和较低的输入电容使其兼容标准逻辑电平控制信号。
这款芯片适用于多种电力电子系统：
- 开关模式电源（SMPS），包括AC/DC适配器和USB-PD快充模块。
- 通信设备中的高效电源转换单元。
- 工业领域内的电机驱动和可再生能源发电接口。
- 数据中心及服务器电源解决方案。
- 充电桩与电动汽车相关的高频逆变电路设计。
MA0201CG6R0C250
MA0102CG4R0C250
GAN040-650WS
