MA0201CG3R0B250 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,主要用于高频率、高效率的电源转换应用。该型号属于 GaN Systems 的增强型功率晶体管系列,采用常关( normally-off )设计,具备低导通电阻和快速开关速度的特点。其封装形式为 CSP(芯片级封装),能够有效降低寄生电感和热阻,从而提升整体性能。
这款器件适用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器、无线充电设备、电机驱动器以及服务器电源等场景。通过利用氮化镓材料的独特优势,MA0201CG3R0B250 可以显著减少系统尺寸并提高功率密度。
额定电压:650V
额定电流:10A
导通电阻:3mΩ
最大栅极电压:8V
最小栅极电压:-8V
结温范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:CSP
MA0201CG3R0B250 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(3mΩ),可显著降低导通损耗,提高效率。
2. 快速开关能力,支持高达几兆赫兹的工作频率,有助于减小无源元件的体积。
3. 增强型结构确保了器件在正常操作条件下的安全性,避免意外导通。
4. CSP 封装设计减少了寄生效应,提高了高频性能和散热能力。
5. 具备优异的热稳定性和可靠性,在极端温度条件下依然保持稳定的电气性能。
6. 高击穿电压(650V)使其适用于多种高压应用场景。
MA0201CG3R0B250 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于实现更高效的功率转换。
2. 数据中心电源:助力构建更高密度和更低能耗的供电解决方案。
3. 无线充电系统:凭借高频特性,适合小型化、便携式无线充电装置。
4. 电动汽车充电器:用于车载充电器和充电桩中,提升充放电效率。
5. 工业电机驱动:提供更高的动态响应和控制精度。
6. 太阳能逆变器:优化能量转换过程,减少功率损失。
GS66508T
GAN062-650WSA
TP65H010G4L-08