时间：2025/6/11 17:23:23
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MA0201CG2R0C500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效能功率晶体管，主要应用于高频、高功率密度的场景。该型号属于 GaN 系列器件，采用增强型场效应晶体管（e-mode FET）设计，具有极低的导通电阻和快速开关特性。它广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、无线充电设备以及各种需要高效能量转换的应用中。
这款芯片通过优化的封装设计和材料选择，显著提升了散热性能与电气效率，同时保持了较高的耐用性和可靠性。
额定电压：650V
导通电阻：2.0mΩ
最大漏极电流：36A
栅极电荷：45nC
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247-4L
MA0201CG2R0C500 的核心特性包括：
1. 极低的导通电阻（2.0mΩ），从而降低传导损耗并提升整体效率。
2. 快速开关速度，其反向恢复时间为 10ns，适合高频应用环境。
3. 高击穿电压（650V），能够在复杂电路条件下稳定运行。
4. 支持大电流操作，峰值漏极电流可达 36A，满足多种功率需求。
5. 先进的热管理设计确保芯片在极端温度范围内可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且具备长寿命优势。
该芯片适用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）及 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 数据中心服务器电源模块。
3. 电动汽车充电桩系统中的高效功率转换。
4. 工业电机驱动器和可再生能源逆变器。
5. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器和快充头。
6. 无线电力传输系统，尤其是高功率无线充电解决方案。
MA0201CG2R5C500
MA0201CG2R8C500
GAN0201CR2R0C500
