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MA0201CG220J500 发布时间 时间:2025/12/23 19:04:54 查看 阅读:21

MA0201CG220J500 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于 N 沟道增强型 MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。其设计旨在提供高效率和可靠性,同时支持大电流应用。
  该型号是工业级产品,能够适应各种复杂的电路环境,并且具备良好的热稳定性和抗干扰能力。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:22A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  输入电容:1200pF
  总功耗:75W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

MA0201CG220J500 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻确保了在高电流应用中的高效性能,降低了功率损耗。
  2. 快速开关速度使其适合高频开关电路,从而减少电磁干扰并提升系统效率。
  3. 高击穿电压保证了在高压环境下的稳定运行。
  4. 内置静电保护功能增强了器件的耐用性。
  5. 小巧封装节省了印刷电路板的空间,便于设计紧凑型设备。
  6. 支持表面贴装技术(SMT),简化了自动化生产和焊接流程。

应用

该芯片适用于多种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 电动工具和家用电器的电机驱动
  3. 工业控制设备中的功率转换模块
  4. LED 照明驱动电路
  5. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)
  6. DC-DC 和 AC-DC 转换器
  7. 充电器和适配器设计

替代型号

MA0201CG220J400
  IRFZ44N
  STP22NM60
  FDP022N06L