时间：2025/7/3 20:15:50
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MA0201CG1R5C250 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）工艺制造，具有极低的导通电阻和快速开关能力。其封装形式为行业标准的表面贴装类型，适用于紧凑型设计需求。该型号广泛应用于电源适配器、DC-DC 转换器以及无线充电等场景，能够显著提高系统效率并减小整体尺寸。
最大漏源电压：200V
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：40nC
连续漏极电流：30A
开关频率：高达 5MHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-LEADLESS
MA0201CG1R5C250 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻（1.5mΩ），有助于降低传导损耗。
2. 快速开关性能，支持高达 5MHz 的开关频率，适合高频应用场景。
3. 高效率与高功率密度，可大幅减少散热需求。
4. 内置 ESD 保护功能，增强可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电路设计中。
这款芯片广泛应用于以下领域：
1. USB-PD 充电器及快充模块。
2. 小型化 DC-DC 转换器。
3. 高频逆变器。
4. 无线电力传输系统。
5. LED 驱动器以及其他需要高效率、小型化的电源解决方案。
MA0201CG1R5C300
MA0201DG1R5C250
