MA0201CG1R1C250 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,属于高效能电力电子器件。该型号由一家知名半导体制造商生产,专为高频率、高效率的电源转换应用场景设计。其采用先进的封装工艺,能够显著降低开关损耗并提高系统整体效率。
该器件适用于包括但不限于通信电源、工业电源、太阳能逆变器等领域,具有极高的市场竞争力。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:10A
导通电阻:1.1mΩ
栅极电荷:80nC
反向恢复时间:30ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247-4L
MA0201CG1R1C250 的核心优势在于其卓越的高频性能和低导通电阻。它使用氮化镓材料,使得器件在高频工作条件下展现出更低的开关损耗和更高的效率。同时,这款晶体管具备出色的热稳定性,即使在极端温度环境下也能保持稳定运行。
此外,其封装设计优化了散热路径,有助于进一步提升长期工作的可靠性。对于需要快速开关的应用场景,如无线充电设备或LED驱动器,这款产品尤为适用。
1. 通信基站中的DC-DC转换模块;
2. 太阳能光伏逆变器的核心功率级;
3. 高效AC-DC适配器与快充解决方案;
4. 工业自动化中的电机驱动控制器;
5. 数据中心使用的高效电源管理单元。
MA0201CG1R1C200
MA0201CG1R1C300