MA0201CG120J250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率开关器件,适用于高频、高效率的电源转换应用。该器件采用增强型 GaN 场效应晶体管 (eGaN FET) 结构,具有超低导通电阻和快速开关特性。其封装形式为符合行业标准的表面贴装封装,便于自动化生产和散热管理。
该型号是针对现代电源系统优化设计的,特别适合需要高功率密度和高性能的场合,例如服务器电源、通信电源、工业电源以及电动汽车充电设备等。
额定电压:650V
额定电流:25A
导通电阻:120mΩ
栅极电荷:75nC
反向恢复时间:无(GaN 无反向恢复损耗)
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
封装类型:LFPAK8
1. 基于先进的氮化镓技术,提供卓越的开关性能和效率。
2. 超低导通电阻 (Rds(on)),降低传导损耗,提升整体能效。
3. 高速开关能力,支持 MHz 级别的开关频率,缩小磁性元件体积。
4. 无反向恢复电荷 (Qrr),减少开关损耗并改善电磁兼容性 (EMC) 表现。
5. 具备强大的热管理和电气稳定性,适合各种严苛环境下的应用。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
MA0201CG120J250 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS),包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 工业电机驱动及逆变器控制。
3. 电动汽车充电桩和车载充电器。
4. 数据中心和电信设备中的高效电源模块。
5. 激光雷达 (LiDAR) 系统及其他需要高速开关的应用场景。
MA0201CG150J250
MA0201CG100J200
MPH0201DG120J250