类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 2.3mΩ（在 Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃
　　封装类型：HSON（表面贴装）

MA01R030VANBR200 MOSFET 具有多个显著的特点，使其适用于高性能电源管理应用。
　　首先，该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)），典型值为 2.3mΩ，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。在高电流应用中，这种低电阻特性尤为重要，因为它可以减少发热，提高系统的稳定性和可靠性。
　　其次，MA01R030VANBR200 的漏源电压额定值为 30V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源拓扑结构，如同步整流、Buck 和 Boost 转换器等。此外，其栅源电压额定值为 ±20V，使其在高电压驱动条件下也能保持稳定工作。
　　该 MOSFET 还具备较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达 60A，适用于高功率密度设计。结合其优异的热管理特性，该器件能够在高温环境下稳定运行，减少额外的散热设计需求。
　　MA01R030VANBR200 采用 HSON 封装，具有较小的封装尺寸，适合在空间受限的 PCB 设计中使用。该封装还提供了良好的散热性能，有助于将热量快速传导到 PCB 上，从而提高系统的整体热稳定性。
　　此外，ROHM 为该器件提供了全面的技术支持和应用指南，确保用户能够快速将其集成到设计中，并实现最佳性能。

MA01R030VANBR200 MOSFET 主要应用于高效率电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和负载开关等。
　　在 DC-DC 转换器中，MA01R030VANBR200 可用于 Buck 或 Boost 拓扑结构，提供高效的电压转换能力，适用于服务器电源、通信设备和工业控制系统等高功率密度应用。
　　在电机驱动应用中，该 MOSFET 可用于控制直流电机或步进电机的运行，提供快速开关响应和低导通损耗，提高电机驱动效率。
　　此外，MA01R030VANBR200 还可作为负载开关使用，用于控制高电流负载的接通和断开，适用于电源管理系统和电池供电设备中的电源控制。
　　由于其优异的热稳定性和紧凑的封装设计，MA01R030VANBR200 在汽车电子系统（如车载充电器和电池管理系统）中也有广泛的应用潜力。

SiSS16DN, SQM160R03, IPD160R3K5PFD, IPP160R3K5PFD