类型：PIN二极管
　　封装类型：表面贴装
　　最大反向电压：100 V
　　最大正向电流：500 mA
　　串联电阻（Rs）：0.6 Ω
　　零偏置结电容（Cj）：0.3 pF
　　热阻（Rth）：150 °C/W
　　工作温度范围：-55 ~ +150 °C
　　存储温度范围：-65 ~ +175 °C
　　峰值功率处理能力：>100 W（典型值，脉冲条件下）
　　封装尺寸：约 1.6 mm × 0.8 mm

MA-13DPP21C10具备卓越的高频性能与高功率处理能力，是专为微波频段优化的PIN二极管。其核心特性之一是极低的零偏置结电容（典型值为0.3 pF），这使得该器件在GHz级别的频率下仍能维持良好的电抗匹配，显著降低信号反射和插入损耗。同时，其串联电阻仅为0.6 Ω，在导通状态下提供接近理想的短路行为，从而提升射频开关和衰减器的效率。这种低Rs与低Cj的组合使其非常适合用于构建高性能的T/R（收发）模块和可重构天线系统。
　　该器件还具备出色的热稳定性和长期可靠性。其热阻为150 °C/W，结合小型但高效的散热设计，可在高温环境下持续工作而不发生性能退化。工作温度范围覆盖-55°C至+150°C，满足军用级和工业级应用的标准要求。此外，该二极管采用无铅、符合RoHS标准的封装材料，并通过严格的环境应力筛选测试，包括温度循环、湿度敏感度等级评估和机械冲击测试，以确保在复杂电磁环境和恶劣物理条件下的稳健运行。
　　另一个重要特点是其快速的载流子响应时间，支持纳秒级的开关速度，适用于脉冲雷达和高速射频切换系统。在正向偏置条件下，注入的载流子能够迅速填充I区，实现低阻态；而在反向偏置时，耗尽层迅速扩展，达到高隔离状态。这一动态行为配合外部驱动电路，可实现精确的射频信号控制。此外，该器件对静电放电（ESD）具有较强的耐受能力，典型HBM ESD额定值可达±1000V以上，增强了在自动化装配过程中的安全性。
　　MA-13DPP21C10还具备良好的线性度，在大信号输入条件下产生的谐波失真和互调产物较低，适用于高保真射频链路。其稳定的I-V特性和可控的掺杂分布确保了批次间参数的高度一致性，有利于大规模生产中的良率控制。综上所述，该PIN二极管凭借其高频适应性、高功率容量、快速响应、热稳定性及制造可靠性，成为现代高端射频系统中不可或缺的核心元件之一。

MA-13DPP21C10主要应用于高频和微波射频系统中，尤其适用于需要高性能开关、衰减器或相位调节功能的场景。一个典型的应用是在相控阵雷达系统中作为T/R模块内的射频开关元件，用于快速切换发射与接收通道，利用其低插入损耗和高隔离度来提升系统灵敏度和方向性。此外，在无线通信基站，特别是5G毫米波前端模块中，该二极管可用于波束成形网络中的可调匹配电路，动态调整天线阻抗以适应不同工作频段和环境变化，从而提高传输效率和链路稳定性。
　　在测试与测量设备领域，如矢量网络分析仪（VNA）和信号发生器中，MA-13DPP21C10常被用于构建高精度可变衰减器或参考通道切换电路，其线性度和重复性保证了测量结果的准确性。同时，由于其支持高速开关操作，也适用于时间复用或多路选择架构中的射频路由控制。在航空航天与国防电子系统中，该器件因其宽温工作能力和高可靠性而被广泛用于机载通信系统、电子战（EW）干扰设备和卫星通信终端，承担关键的信号路径管理任务。
　　此外，该二极管还可用于高功率放大器输出端的保护电路，当检测到异常驻波比（VSWR）时，通过快速切断信号通路防止后级损坏。在可重构射频前端设计中，它也能作为调谐元件的一部分，参与频率自适应或带宽调节功能。总之，MA-13DPP21C10凭借其优异的电气性能和环境适应性，广泛服务于通信、雷达、测试仪器和高端工业电子等多个技术前沿领域。

MA-13DPP21C10TR
　　MA-13DPP21C10S