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M93C46-WMN6TP 发布时间 时间:2024/7/10 15:29:42 查看 阅读:228

M93C46-WMN6TP是一种串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)芯片,由意大利的ST公司生产。它具有高度可靠的性能和低功耗功率消耗,被广泛应用于计算机、通信、汽车、工业控制以及消费电子等领域。
  M93C46-WMN6TP采用串行式读写方式,通过输入信号控制器件的各种状态,实现数据的读写。该存储器内部由存储单元和控制逻辑电路组成,存储单元由多个存储单元阵列构成,每个存储单元阵列包含多个存储单元,每个存储单元可以存储一个二进制数字(0或1)。

基本结构

M93C46-WMN6TP的基本结构包括输入输出端口、控制器、存储单元阵列、控制逻辑电路等。其中,输入输出端口用于输入和输出数据信号,控制器用于控制存储器的读写操作,存储单元阵列用于存储数据,控制逻辑电路用于控制存储器的各种状态。

参数

M93C46-WMN6TP芯片的存储容量为1Kbit,具有8个字节的页大小,总共有128页。它支持串行通信接口,包括SPI(串行外围接口)和I2C(双线串行总线)协议。工作电压范围为2.5V至5.5V,工作温度范围为-40℃至85℃。

特点

1、简单易用:M93C46-WMN6TP芯片具有简单的串行通信接口,易于使用和集成。
  2、低功耗:芯片采用低功耗设计,功耗消耗极小,适用于移动设备和低功耗应用场景。
  3、高速读写:芯片具有快速的读写速度,读取速度为5us,写入速度为10ms。
  4、高可靠性:芯片采用了先进的电可擦除技术,具有高度可靠的性能。
  5、长寿命:芯片的存储数据可以长时间保存,具有长寿命的特点。

工作原理

M93C46-WMN6TP芯片采用电可擦除技术,它的存储单元由非挥发性存储器电容组成。在编程时,芯片内部电场的变化会使电容的电荷分布发生变化,从而实现数据存储。在擦除时,芯片内部的电场会使电容的电荷重新分布,实现数据的擦除。芯片的读取操作通过串行通信接口进行,数据通过串行传输到控制器。

应用

M93C46-WMN6TP芯片被广泛应用于计算机、通信、汽车、工业控制以及消费电子等领域。例如:
  1、计算机:M93C46-WMN6TP芯片可以用于BIOS存储器、CMOS存储器和固件存储器等。
  2、通信:M93C46-WMN6TP芯片可以用于手机、无线通信设备、调制解调器等。
  3、汽车:M93C46-WMN6TP芯片可以用于汽车控制单元、汽车娱乐系统、车身电子等。
  4、工业控制:M93C46-WMN6TP芯片可以用于PLC、工业控制器、传感器等。
  5、消费电子:M93C46-WMN6TP芯片可以用于电视机、音响、电子游戏、数码相机等。

设计流程

1、确认系统需求:首先需要确定该存储器在系统中的应用需求,包括存储容量、读写速度等方面的要求。
  2、选择存储器型号:根据系统需求,选择合适的存储器型号,例如M93C46-WMN6TP。
  3、确定电路设计方案:根据存储器型号的电气特性,设计存储器的电路方案,包括电源接口、输入输出接口等。
  4、PCB设计:根据电路设计方案,设计PCB板,包括布线、走线等。
  5、制作PCB板:根据PCB设计,制作PCB板。
  6、安装元器件:将M93C46-WMN6TP和其他元器件按照设计要求进行安装。
  7、调试测试:将设计好的存储器电路进行调试测试,确保存储器的性能符合要求。

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M93C46-WMN6TP参数

  • 其它有关文件M93C46-W View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器EEPROMs - 串行
  • 存储器类型EEPROM
  • 存储容量1K(128 x 8 或 64 x 16)
  • 速度2MHz
  • 接口Microwire 3 线串行
  • 电源电压2.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称497-5090-6